佳能将在2021年4月上旬发售面向后道工序的半导体光刻机新产品——i线步进式光刻机 “FPA-5520iV LF Option”。该产品实现了面向先进封装的52×68mm大视场曝光，解析度达1.5µm (微米)。

FPA-5520iV LF Option

为了提高半导体芯片的性能，不仅在半导体制造的前道工序中实现电路的微细化十分重要，在后道工序中的高密度封装也备受瞩目。为实现高性能的先进封装，需要精细的重布线5，近年来已经开始使用半导体光刻机进行重布线工艺。新产品继承了可应对先进封装的旧机型“FPA-5520iV”(2016年7月发售)的基本性能，同时实现了大视场下电路图形的曝光，可满足异构封装等多种先进封装技术的需求。

■ 通过搭载新投影光学系统实现大视场的一次曝光

通过搭载新投影光学系统，新产品可以一次曝光52×68mm的大视场，达到了前道工序中光刻机标准视场26×33mm的4倍以上。通过大视场曝光，实现了连接多个大型半导体芯片的异构封装。此外，该产品具有1.5µm的高解析度，可以曝光出精细的重布线图案，从而可应对多种先进封装工艺。另外，在使用高解析度选项的情况下，可以实现以1.0µm的高解析度曝光重布线图案。

■ 继承“FPA-5520iV”的基本性能

新产品继承了“FPA-5520iV”受到广泛好评的基本性能。通过这些共通的基本性能，可以实现封装工艺量产课题中的再构成基板变形问题的灵活应对，还可以在芯片排列偏差较大的再构成基板上检测出对准标记，从而提高生产效率，实现高生产性等优势。