韩媒 chosu 今天(7 月 22 日)发布博文，援引供应链消息，报道称三星已启动“精选和聚焦”战略，集中资源提升 2nm 工艺良率，希望通过产量和成本优势来挑战台积电。

　　消息源表示三星电子预估，2nm 芯片需求至少会持续 3 年以上，为了避免重复 3nm 工艺的失败，公司正致力于加强芯片散热和稳定性，并进一步提高芯片性能。

　　三星电子目前正在平泽等园区建设 2nm 工艺生产线，并推迟 1.4nm 工艺量产计划至 2029 年(原计划 2027 年量产)，以便集中精力提高 2nm 工艺的良率。

　　将原计划在 2027 年量产的 1.4 纳米工艺推迟到 2029 年，以便集中精力提高 2 纳米工艺的收益率。三星电子的 GAA 晶体管技术，在 2 纳米工艺中也可应用，这有助于技术稳定。

　　台积电、英特尔、三星电子的 2nm 代工节点(N2、Intel 18A、SF2)良率分别约为 65%、55%、40%，而三星的目标是将良率提升到 70%。

　　三星在提升良率同时，将进一步扩展部署全环绕栅极(GAA)晶体管方案，第二代工艺已基本完成设计，目前正研究名为“SF2P+”第三代工艺，并计划在未来 2 年内实施。

　　图源：WccFtech

　　尽管道路艰难，但最新报告显示，三星正在逐步改进其下一代光刻技术，预计该节点制造的芯片在未来四年内将会有巨大需求。