先进制程刻蚀后清洗技术，究竟怎么回事？

上海2021年11月22日 /美通社/ -- 11月19日，集成电路材料产业技术创新联盟与科百特联合举办的2021集成电路超净工艺技术Workshop在杭州萧山区顺利举行。会议采用了线上线下同时进行的形式，来自集成电路制造、硅材料、工艺化学品、光刻胶、CMP材料等产业链上下游企业的高层、技术人员及研究院所的学者共计约80余人参加了此次会议，共同探讨新技术要求下的洁净控制。

在Workshop期间，安集微电子科技（上海）股份有限公司（简称“安集科技”）产品应用副总监王胜利应邀发表题为《先进制程刻蚀后清洗技术》演讲报告在演讲中，王胜利主要分享了逻辑器件先进技术节点的后段干法刻蚀残留物的清洗工艺技术、特别分享了有氮化钛硬掩膜的湿法去除要求的清洗技术指标和实际数据在下一世代的半导体工艺技术的展望中，王胜利探讨了半导体工艺中新材料和新架构对功能性型化学品提出的挑战与机遇在逻辑器件5nm以后世代中GAA 结构的出现，Ru及Air Gap的引入在3D NAND器件中，更高层数的堆叠带来的极高深宽比和Molly的引入， 以及在D1Z世代的DRAM中，Low K材料以及新的电容材料的引入，带来了很多新的并且很有挑战性的功能性化学品机会，并展示了安集科技对于这些新的应用的理解和研发布局。

王胜利表示过去的十多年以来安集科技的功能性湿电子化学品已经在大批量稳定供应国内外的不同客户，其应用范围集中于中后道工艺，包括铝、铜的后道互联及晶圆级封装领域安集科技始终专注于CMP抛光液及功能性湿电子化学品的研发及产业化，经过17年来的积累沉淀，具备成熟而强大的研发、生产、技术支持及质量管控能力。

作为功能性湿电子化学品的行业领军企业之一，安集科技一直聚焦于国内成熟工艺和国际半导体最前沿的工艺技术两方面，研发对应的功能性化学品技术，满足国内外半导体企业对于成熟工艺量产的和先进工艺发展的不同需求，致力于寻求与客户和合作伙伴的更好合作，为集成电路产业提供强有力的供应保障。