中国存储芯片追赶,三星面临新考验

逐步进入更多存储芯片市场。

中国存储芯片企业正在扩大市场份额,三星电子则加快向人工智能所需的高端存储器倾斜。两条不同的产业路径,正在改变全球存储芯片市场的竞争格局。

根据市场研究机构Counterpoint Research的数据,2026年第二季度,长鑫存储(CXMT)在全球DRAM市场的营收份额达到10%,高于2025年同期的4%。这表明,中国存储芯片企业在全球市场的竞争力正在增强。

对三星而言,竞争压力不只来自中国企业产能的扩大,还来自中国厂商正在拓展产品范围,逐步进入更多存储芯片市场。

长鑫存储扩大竞争范围

过去,三星、SK海力士和美光长期主导全球DRAM市场。随着人工智能服务器建设提速,传统DRAM需求增长,高带宽存储器(HBM)也成为半导体厂商争夺的重点。

长鑫存储的市场份额上升,反映出中国企业正在扩大DRAM业务。随着产品供应能力提升,中国厂商在全球存储市场中的存在感也在增强。不过,市场份额增长并不意味着其技术水平已经达到国际领先厂商的程度。

长鑫存储的下一步布局更值得留意。路透社2026年9月18日报道,该公司正准备进入NAND闪存市场,计划在北京的新设施建设相关研发生产线,并已与潜在客户展开接洽。

这项计划如果顺利推进,长鑫存储的业务将不再局限于DRAM,还将延伸至NAND闪存领域。届时,它面对的竞争对手将包括三星、SK海力士、美光以及中国的长江存储(YMTC)。

需要说明的是,进入NAND市场目前仍处于计划推进阶段。研发生产线建设、产品研发、客户认证和规模化生产都需要时间,不能将这项计划等同于已经形成大规模商业供应。

三星加码高端AI存储器

人工智能为三星带来了新的增长机会。高带宽存储器能够为AI加速器提供高速数据支持,对芯片性能、封装和量产能力都有较高要求。相比传统存储器,这一市场的技术门槛更高,也是三星争取提升产品价值的重要方向。

Counterpoint Research公布的数据显示,2026年第二季度,SK海力士在全球HBM市场的营收份额为50%,三星为33%,美光为18%。三星的份额较上一季度明显提升,但SK海力士仍保持领先。

三星需要同时面对两项任务:一方面争取更多高端AI存储器订单,另一方面守住传统DRAM市场的规模和盈利能力。中国企业扩大传统存储产品供应,可能加剧部分产品的价格竞争;而在高端HBM市场,技术能力、客户认证和稳定交付仍然是竞争的核心。

因此,中国企业在DRAM市场份额的提升,与其能否进入高端AI存储器供应链,是两个不同的问题。前者反映市场竞争格局的变化,后者则需要更长时间的技术积累和客户验证。

中国追赶,考验三星的长期布局

中国存储芯片企业仍然面临先进制程、制造设备、良率和高端产品验证等挑战。市场份额增长值得关注,却不能直接等同于技术差距已经消失。

对三星来说,中国厂商的长期影响,取决于它们能否持续改善产品性能、扩大产能,并逐步进入更高附加值的市场。三星也需要继续巩固高端AI存储器的竞争力,同时应对传统存储市场的变化。

全球人工智能需求仍在推动存储芯片行业发展,但行业增长不会平均分配给每一家企业。中国厂商正在从产能扩张走向更广泛的产品竞争,三星则需要在高端技术与规模化制造之间找到平衡。

下一轮存储芯片竞争,比拼的不只是人工智能带来的需求增长,更是谁能持续提升技术水平、控制成本,并把产能转化为长期的市场优势。

数据来源: 文中引用的DRAM及HBM市场份额数据来自市场研究机构Counterpoint Research;长鑫存储计划进入NAND闪存市场的相关信息来自路透社2026年9月18日的报道。

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