外媒报道，三星电子认为，它能够在五年内绕过其在代工芯片制造领域面对台积电的主要竞争对手。两家公司计划大致同时为下一代芯片引入 2nm 工艺，但三星现在将拥有实施 GAA 晶体管的优势。

　　作为全球最大的公司之一，三星正努力在代工芯片制造领域占据领先地位，因为台积电早已确立了自己作为全球领先的接触式芯片制造商的地位。无论如何，三星的目标是通过在 2023 年推出采用 3nm 工艺技术的 Gate All Around (GAA) 晶体管芯片来缩小自己与台湾公司之间的技术差距。

　　三星总裁兼设备解决方案业务部芯片合同制造总经理 Siyoung Choi 5月5日在韩国的主题演讲中宣布了这一消息。

　　Choi分享说，目前台积电在芯片制造方面遥遥领先于三星。他认为三星需要五年时间才能赶上并超过台积电，尽管这两家公司目前都生产 3nm 半导体。虽然这些技术的营销名称可能相似，但它们在设计上完全不同，因为三星使用最新的 GAA 技术制造晶体管，而台积电则依赖成熟的 FinFET。

　　Choi 表示，GAA 的使用至关重要，因为目前三星的 4nm 技术落后台积电大约两年，3nm 大约落后一年，但当台积电转向 2nm 时，这种情况将会改变。

　　与三星不同，据报道台积电计划从 2nm 开始使用 GAA 技术。Siyoung Choi认为，这将给三星“一个追赶的机会”，因为预计台积电将因新技术而更加困难。