根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到地缘贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然而，受到车用、工业与通信需求助力，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。

其中又以GaN（氮化镓）功率器件的成长力道最为明显，预估其今年市场规模将达6100万美元，年增率高达90.6%。

TrendForce集邦咨询进一步表示，疫苗问世后疫情有望趋缓，进而带动逆变器、变频器等工业能源转换所需零组件，以及通信基站需求回稳。此外，随着特斯拉（Tesla）Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程，第三代半导体在车用市场备受重视，将助推2021年第三代半导体成长。

电动车、工业及通信需求回温，带动第三代半导体器件营收上扬

观察各类第三代半导体器件，虽有部分晶圆制造代工厂，如台积电、世界先进等尝试导入8英寸晶圆生产GaN器件，但现行尺寸仍以6英寸为主。因疫情趋缓带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，预期2021年通信及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元，分别年增30.8%及90.6%。

其中，GaN功率器件年增最高的主因是小米、OPPO、vivo等手机品牌自2018年起陆续推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，笔电厂商也有意跟进。TrendForce集邦咨询预期，GaN器件会持续渗透手机与笔电配件，且年增率将在2022年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。

SiC器件部分，由于通信及功率领域皆需使用该衬底，因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体等已陆续开展8英寸衬底研制计划，但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。

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