据湖北日报报道，6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目（土建）开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。